Científicos de México, Canadá, Estados Unidos, Inglaterra y Singapur exponen avances en el 1er Congreso Nacional de Micro y Nanoelectrónica

Rossi A.G.

Santa María Tonantzintla, Puebla, a 25 de octubre. Con la participación de científicos de México, Canadá, Estados Unidos, Inglaterra y Singapur que exponen los avances más recientes en las áreas de ciencia de materiales, dispositivos y sistemas electrónicos que explotan las propiedades de la materia de estado sólido a niveles de micro y nano escalas, esta mañana dio inicio el 1er Congreso Nacional de Micro y Nanoelectrónica.

El programa de actividades arrancó en punto de las nueve horas con la ponencia “Atomic layer deposition of gold metal: mechanism and surface chemistry”, a cargo del doctor Sean Barry, investigador de la Universidad Carleton de Ottawa, Canadá.

El doctor Joel Molina, investigador del Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE) y organizador del Congreso, comentó que el evento tiene su origen en las colaboraciones internacionales que ha establecido con científicos de distintos países que desarrollan materiales y dispositivos electrónicos y que se relacionan con lo que se investiga en el INAOE. “Estos científicos se concentran en una tecnología común que queremos seguir explotando aquí: la microelectrónica”.

Agregó que en este Instituto la tecnología de materiales y dispositivos ha madurado y que incluso empieza a ser visible en muchos países.

El doctor Molina notificó que en este primer Congreso participan 16 ponentes, todos ellos científicos que se dedican a analizar la materia a niveles muy pequeños. “Son expertos en sus áreas de investigación en sus países. Vienen varios de la Universidad de Texas, y dos investigadores de Singapur que se dedican a la caracterización con herramientas muy sofisticadas de microscopía electrónica.

Viene también un investigador de Londres, quien hablará sobre el desarrollo de sensores muy importantes para la detección de envenenamiento de comida y patógenos presentes en el agua, etcétera. Además estará con nosotros el doctor Adelmo Ortiz, de Venezuela, quien es un especialista en la física y matemáticas de los resultados eléctricos de los dispositivos que todo el mundo está fabricando. Y por supuesto los investigadores de casa, quienes nos han ofrecido unas pláticas interesantes”.

Entre los ponentes del 1er Congreso Nacional de Micro y Nanoelectrónica destacan, además del doctor Sean Bary, los doctores Arturo Ponce, de la Universidad de Texas en San Antonio; Firat Güder, del Imperial College London; Adelmo Ortiz-Conde, de la Universidad Simón Bolívar de Venezuela; Mario Moreno, Daniel Durino, Edmundo Gutiérrez, Joel Molina, Roberto Murphy y Alfonso Torres, del INAOE; Israel Mejía, del CIDESI; Yeonghun Lee, Jiyoung Kim y Manuel Quevedo, de la Universidad de Texas en Dallas; Kin-Leong Pey y Alok Ranjan, de la Singapore University of Technology and Design.

Además de las conferencias a cargo de los científicos invitados, este viernes 26 de octubre se realizará por la tarde el panel “Estatus y perspectivas de desarrollo de la microelectrónica integrada en México”.

 

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